Especificaciones técnicas de la memoria RAM

Memoria RAM - via https://www.freepik.es/fotos-vectores-gratis/personas

Estas son algunas de las características que tendremos que tener en cuenta a la hora de comparar o adquirir un módulo de memoria RAM para nuestro equipo microinformático.

 

Tecnología

Indica la tecnología de la memoria RAM (leer más): SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM...

 

Capacidad

Mide la cantidad de datos que es capaz de almacenar, en MB o GB.

 

Velocidad

Se mide en MegaHercios (MHz) o GigaHercios (GHz). Por ejemplo, 800MHz, significa que con ella se pueden realizar 800 millones de operaciones (lecturas y escrituras) en un segundo. Actualmente también pueden aparecer junto a la velocidad las siglas OC (OverClock), lo que significa que desde la BIOS se puede incrementar la velocidad normal de la memoria hasta la indicada haciendo overclocking.

 

ECC

La tecnología ECC (Error Checking and Correction – Chequeo y corrección de errores) en las memorias RAM sirve para que sean capaces de detectar y corregir los errores de lectura y escritura.

 

Buffered / Registered

Es una característica que incorporan ciertas memorias para asegurar la estabilidad a costa de perder rendimiento. Estas memorias incluyen también ECC. Cuando no poseen esta característica nos puede venir indicado como Unbuffered o Unregistered.

 

Latencia

La latencia (timings) es el tiempo que la memoria tarda en realizar sus operaciones. Conocer estos valores nos permitirán comparar las prestaciones de las memorias entre sí.

Todas las latencias se miden normalmente en ciclos de reloj, aunque a veces nos lo encontraremos medidos en nanosegundos (ns). Por lo que cuanto menores sean estos valores mejores prestaciones va a tener la memoria.

Las latencias van a venir dadas mediante cinco valores:

  • Cas Latency (CL): El CL es el número de ciclos de reloj que la memoria tardará en devolver un dato pedido por el microprocesador. Por ejemplo, si CL=3 la memoria tardará 3 ciclos de reloj en devolver un dato.

  • RAS to CAS Delay (tRCD): El acceso a un dato en memoria se realiza activando la fila y después la columna a la que queremos acceder. Esta activación es realizada por la señales RAS (Row Address Strobe) y CAS (Column Address Strobe). tRCD mide el tiempo que transcurre entre ambas señales, es decir, la latencia entre la señal RAS y la CAS.

  • RAS Precharge (tRP): Después de que el dato es tomado, el comando Precharge debe ser ejecutado, cerrando la fila de la memoria que fue abierta y permitiendo otro acceso. tRP es el tiempo que pasa desde que se activa el comando Precharge hasta que la nueva activación de una columna puede ser llevada a cabo.

  • Active to Precharge Delay (tRAS): Después de que el comando Active en tRCD sea ejecutado otro comando Precharge no puede ser inicializado hasta que el tiempo tRAS haya transcurrido. De esta forma tRAS limita cuándo la memoria puede empezar a leer/escribir en otra línea.

  • Command Rate (CMD): Es el tiempo que ocurre desde que el chip de memoria es activado mediante la línea CS (Chip Select) hasta que cualquier comando puede ser ejecutado sobre dicho chip. Este parámetro lleva la letra T o N y sus posibles valores son 1T/1N o 2T/2N, que indican un ciclo o dos ciclos respectivamente. Si esta valor no es dado debemos sobreentender que se trata de 2T.

Podemos decir que el tiempo que transcurre desde Precharge hasta que obtenemos el dato es tRP + tRCD + CL.

Timings Memoria RAM

 

Bibliografía

Licencia Creative Commons

Este artículo publicado en TicArte pertenece a Rafa Morales y está protegido bajo una Licencia Creative Commons.

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